研究概要と特徴
本研究室では電子材料薄膜の堆積とデバイス応用に関する研究を行っています。主に反応性スパッタ成膜法を用いて、数十から数百ナノメートルの厚さの酸化物薄膜を堆積して、電子的・光学的物性を評価しています。現在、
- 機能性遷移金属酸化物薄膜の堆積と新規スイッチングデバイス開発
- 透明導電性薄膜の堆積と透明デバイス作製
- 高密度光記録用酸化物薄膜の堆積と応用
研究室内に各種の薄膜堆積ができるスパッタ成膜装置があり、学生自ら成膜に取り組んでいます。 また、良好な結晶配向薄膜が堆積できるICP支援スパッタ装置は本研究室で応用を進めたものです。
研究室の学生の取り組み
学部卒業研究や大学院修士研究で配属になった学生は研究室内で薄膜試料作製に取り組み、研究室内で電気的特性を測定する他、結晶性や化学結合などについて本学17号館の高度物性評価施設内のX線回折装置や光電子分光分析装置などを用いて分析します。また、個々のテーマについて実験や計算・解析の研究を進める他、週に1回のゼミナールで研究に関連する分野の学習を行います。多くの装置、測定機器を扱う必要があるので、電気電子技術者として必要な基礎的素養を習得していくことも重要な事項です。
2024年度研究テーマ
- VO2/AZO/glass積層構造の作製と電圧印加による光スッチングに関する研究【AZOグループ】
担当学生：蘭 田（B4), 渡部なごみ(B4)，于 鵬(M1)，平鍋 頼(M1) - VO2／ZnO／glass積層スマートウィンドウの性能向上に関する研究【SWグループ】
担当学生：上岡久修(B4),廣野 太陽(B4),湊 柊太(B4)，渡辺 龍ノ介 (B4), 中江 英暉(M1)，劉 秋志(M1) - TiO2をバッファー層とするガラス上VO2薄膜の作製と相転移特性に関する研究【ナノグループ】
担当学生：江幡 翼(B4),若山 遼平(B4)，下野 慎平(M1) - GST相変化膜/VO2積層構造による不揮発メモリー性の実現に関する研究【GSTグループ】
担当学生：笠井 涼太(B4),工藤 圭介(B4)，劉 意琦(M1) - VO2／TiN／Si積層構造の電圧印加スイッチングと自励発振現象に関する研究【発振グループ】
担当学生：孫炳坤(B4), 浦 陸人(B4),樹所 純平(M2)【発振グループ】 - バイアススパッタ法による相転移VO2薄膜成長に関する研究【中間発表】
担当学生：松島 颯士(B4)【基礎グループ】